• Твердые тела являются проводниками, если…
    1. валентная зона заполнена электронами полностью
    2. в валентной зоне есть свободные энергетические уровни
    3. зона проводимости заполнена полностью
    4. в зоне проводимости есть свободные энергетические уровни

Ответы 5

  • Это же не ответ
  • Я НЕ ЗНАЮ Я РЕШАЛА ТАК
  • У МЕНЯ 5
    • Автор:

      tucker5
    • 6 лет назад
    • 0
  • простор я ответа не вижу
  • 1. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области высоких температур …

    1. ~ Т –1 2. не зависит и равна 3R 3. ~ Т 3 4. ~ 

    2. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области низких температур …

    1. ~ Т 3

    2. ~ Т –1

    3. не зависит и равна 3R

    4. не зависит и равна 3/2 R

    3. Энергия Ферми – это …

    1. максимальное значение энергии, которое может иметь электрон в твердом теле при 0К

    2. энергия, соответствующая дну зоны проводимости

    3. минимальное значение энергии, которое может иметь электрон в твердом теле при 0К

    4. энергия, соответствующая дну валентной зоны

    4. Физический смысл энергии Ферми заключается в одном из следующих утверждений …

    1. минимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К

    2. максимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К

    3. энергия, определяющая дно зоны проводимости

    4. энергия, определяющая потолок валентной зоны

    5. На рисунке приведено зонное строение кристалла при 0К, который является …

    1. полупроводником

    2. диэлектриком

    3. проводником

    4. однозначного ответа нет

    6. Твердые тела являются проводниками, если…

    1. валентная зона заполнена электронами полностью

    2. в валентной зоне есть свободные энергетические уровни

    3. зона проводимости заполнена полностью

    4. в зоне проводимости есть свободные энергетические уровни

    7. Если валентная зона заполнена электронами, но при этом перекрывается с зоной проводимости, то твердое тело является …

    1. диэлектриком

    2. проводником

    3. полупроводником

    4. проводником и полупроводником одновременно

    8. Полупроводниками называются кристаллы, у которых при 0ºК …

    1. перекрыты валентная зона и зона проводимости

    2. заполнена зона проводимости

    3. нет запрещенной зоны

    4. заполнена валентная зона

    9. Основными носителями тока в химически чистых полупроводниках являются …

    1. только электроны

    2. только дырки

    3. электроны и ионы акцепторных атомов

    4. дырки и электроны

    10. Из приведенных ниже положений правильными для собственных полупроводников являются …

    1. дырки возникают при захвате электронов атомами акцепторной примесей

    2. уровень Ферми расположен посередине запрещенной зоны

    3. валентная зона заполнена электронами не полностью

    4. сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры

    1. 1,2 2. 2,3 3. 3,4 4. 2,4

    11. Донорные примесные уровни располагаются …

    1. в середине запрещенной зоны

    2. у потолка валентной зоны

    3. у дна зоны проводимости

    4. между уровнем Ферми и потолком валентной зоны

    12. С точки зрения зонной теории отрицательные носители тока в полупроводниках n-типа образуются в результате перехода электронов …

    1. из валентной зоны в зону проводимости

    2. с донорного уровня в зону проводимости

    3. между уровнями валентной зоны

    4. из валентной зоны на донорный уровень

    13. Двойной электрический слой на границе р-n–перехода образуют …

    1. дырки и электроны

    2. отрицательные ионы акцепторного атома и положительные ионы донорного атома

    3. отрицательные ионы донорного атома и положительные ионы и акцепторного атома

    4. дырки и отрицательные ионы донорного атома

    14. Положительный электрический слой на границе p-n- перехода образуется …

    1. позитронами

    2. положительными ионами акцепторной примеси

    3. протонами

    4. положительными ионами донорной примеси

    15. Отрицательный электрический слой на границе p-n–перехода образуется …

    1. электронами

    2. дырками

    3. отрицательными ионами донорных атомов

    4. отрицательными ионами акцепторных атомов

    16. Односторонняя проводимость р-n–перехода объясняется …

    1. диффузией носителей тока

    2. зависимостью сопротивления р-n–перехода от направления внешнего электрического поля

    3. превышением концентрации основных носителей тока над неосновными

    4. рекомбинацией носителей тока

    17. Слабый ток через полупроводниковый диод при запирающем напряжении обусловлен …

    1. увеличением толщины контактного слоя, обеднённого основными носителями тока

    2. препятствием внешнего электрического поля движению основных носителей тока через p-n–переход

    3. уменьшение сопротивления p-n перехода

    4. ускорением внешним электрическим полем движения неосновных носителей тока через p-n–переход

    18. Твердые тела не проводят электрический ток при 0 К, если…

    1. в запрещенной зоне нет примесных уровней

    2. в валентной зоне есть свободные энергетические уровни

    3. зона проводимости заполнена электронами целиком

    4. валентная зона заполнена электронами целиком

    • Автор:

      jensen
    • 6 лет назад
    • 0
  • Добавить свой ответ

Войти через Google

или

Забыли пароль?

У меня нет аккаунта, я хочу Зарегистрироваться

How much to ban the user?
1 hour 1 day 100 years