Предмет:
ФизикаАвтор:
margaritafv7qАвтор:
ericzm7yДано:
Полупроводник №1 (Ge) собственный:
Запрещенная зона – Wg =0,785эВ;
Подвижности μе(Ge) = 3900 см2·В-1·с-1;
μh(Ge) = 1900 см2·В-1·с-1;
Температура T = 300 K;
Полупроводник №2 (Si) примесный (n-типа):
Запрещенная зона – Wg =1,21эВ;
Подвижности μе(Ge) = 1200 см2·В-1·с-1;
μh(Ge) = 500 см2·В-1·с-1;
Температура T = 300 K;
σ(Ge) = σ(n-Si).
Автор:
jensenejm5Добавить свой ответ
Предмет:
МатематикаАвтор:
moranОтветов:
Смотреть
Предмет:
ГеометрияАвтор:
ashtynriddleОтветов:
Смотреть
Предмет:
Русский языкАвтор:
ace54Ответов:
Смотреть