Дырки в чистых полупроводниках возникают, в следствии увеличения температуры и разрушения ковалентных связей. Они осуществляются валентными электронами, после чего в скором времени образовываются места, в которых недостает электрона - после чего образовывается, так называемая \"Дырка\". Она имеет особые способности перемещения внутри самого кристалла, потому как все ее место могут беспрепятственно занять валентные электроны. Везде и всегда перемещение, так называемой \"Дырки\", происходит по направлению к вектору.