Помогите, пожалуйста! Даю 100 баллов! 1. Определите тип электропроводности кристал¬ла кремния, легированного бором, после кристаллизации методом Чохральского для g = 0,5, если скорость кристаллизации f = 2 мм/мин, тол¬щина диффузионного слоя 0,01 см, равновесный коэффи¬циенты распределения k0B = 0,8. Коэффициент диффузии примеси в жидкой фазе DB = 2,4 • 10-4 см/с, началь¬ная концентрации примеси в расплаве C = 1015 см-3. 2. Рассчитайте диаметр тигля, который необходимо использовать для выращивания монокристалла кремния, однородно легированного сурьмой, если скорость кристаллизации составляет 0,2 мм/мин, а диаметр кристалла 100 мм. 3. Рассчитайте скорость кристаллизации, которую следует выбрать для выращивания монокристалла кремния, однородно легированного фосфором, если диаметр кристалла 90 мм, диаметр тигля 200 мм, скорость вращения кристалла 80 об/мин, скорость вращения тигля 5 об/мин. 4. Рассчитайте, как изменится концентрация олова в кристалле кремния при g = 0,5 от начала слитка при выращивании методом Чохральского, если скорость кристаллизации увеличится от 0,5 до 5 мм/мин. Начальная концен¬трация примеси олова в расплаве составляет 1*1016 см-3. Скорость вращения кристалла 60 мм/мин, скорость вращения тигля 10 об/мин. 5. Рассчитайте концентрацию индия в расплаве кремния при выращивании монокристалла методом Чохральского со скоростью кристаллизации f = 1 мм/мин, если концентрация индия Ст в слитке при g = 0,2 составляет 2 1016 см-3, скорость вращения кристалла относительно тигля равна 60 об/мин. 6. Определите тип электропроводности кристал¬ла кремния, легированного бором, после кристаллизации методом Чохральского для g = 0,5, если скорость кристаллизации f = 2 мм/мин, тол¬щина диффузионного слоя 0,01 см, равновесный коэффи¬циенты распределения k0B = 0,8. Коэффициент диффузии примеси в жидкой фазе DB = 2,4 • 10-4 см/с, началь¬ная концентрации примеси в расплаве C = 1015 см-3. 7. Рассчитайте значение равновесного коэффициента распределения индия и галлия в германии при использовании модели регулярных растворов для твердой фазы и квазирегулярных - для жидкой фазы. 8. Рассчитайте, как изменится концентрация олова в кристалле кремния при g = 0,5 от начала слитка при выращивании методом Чохральского, если скорость кристаллизации увеличится от 0,5 до 5 мм/мин. Начальная концен¬трация примеси олова в расплаве составляет 1*1016 см-3. Скорость вращения кристалла 60 мм/мин, скорость вращения тигля 10 об/мин. 9. Определите тип электропроводности и постройте зависимость удельно¬го сопротивления по длине слитка кремния, выращенного методом Чохральского, если в исходном расплаве содержались примеси бора С^в = 4 . 1015 см-3 и мышьяка C0As = 4 . 1015 см-3, скорость кристаллизации равна 0,5 мм/мин, а скорость вращения кристалла относительно тигля 100 об/мин. Необязательно все, хотя бы по возможности.

ну типо сокрощаешл 2*3=это кагава все здаешл уяилке на следующий дкнь получаешь пять