Сколько будет (2+2)*2? - №31051940

Сколько будет (2+2)*2?
- Предмет:
  Математика
- Автор:
  greyson
- 5 лет назад

Ответы 2

(2+2)•2=4•2=8Удачі)))
- Автор:
  frankfurterpzgb
- 5 лет назад
- 0
Ответ:(2+2)*2=8
Пошаговое объяснение:
- Автор:
  edwardporter
- 5 лет назад
- 0
Добавить свой ответ

Еще вопросы

З'ясуйте як у творі І.Нечуя - Лнвицького "Кайдашева сім'я" відбувається осуд дріьновласницького способу життя, критикується обмеженість та забобоність селян
- Предмет:
  Українська література
- Автор:
  castillo24
- 5 лет назад
- Ответов:
  
  1
- Смотреть
СВЕРХКРАТКО ПОЖАЛУЙСТА(ответить на каждый вопрос)
1. Область применения электронных приборов.

2. Электроны в твердом теле.

3. Механизм электропроводности.

4. Вольт-амперная характеристика р - п перехода.

5. Понятие о стабилизации напряжения.

6. Вольт - амперная характеристика и параметры стабилитрона.

7. Устройство, принцип действия туннельного диода, вольт - амперная характеристика, параметры.

8. Система обозначений диодов.

9. Работа выпрямительного диода.

10. Работа стабилитрона.

11. Устройство транзисторов.

12. Эмиттерный и коллекторный переходы.

13. Строение базы. Рекомбинация носителей заряда в базе.

14. Токи в транзисторе.

15. Включение транзистора с общей базой.

16. Включение транзистора с общим коллектором.

17. Включение транзистора с общим эмиттером.

18. Входные и выходные токи.

19. Коэффициенты передачи тока.

20. Входные и выходные характеристики в схемах.

21. Классификация транзисторов, маркировка.

22. Работа биполярного транзистора с общей базой в статическом режиме.

23. Работа биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером в статическом режиме.

24. Усилительные свойства биполярных транзисторов

25. Графоаналитический расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе

26. Расчет h- параметров биполярного транзистора.

27. Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом.

28. Параметры полевого транзистора.

29. Схематическое изображение полевого транзистора.

30. Устройство полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Режимы обогащения и обеднения.

31. Работа полевого транзистора с общим истоком в статическом режиме.

32. Устройство полевых транзисторов с индуцированным каналом.

33. Маркировка полевых транзисторов.

34. Устройство и принцип действия тиристора.

35. Параметры тиристора.

36. Схематическое изображение тиристора.

37. Маркировка тиристоров.

38. Понятие об усилении. Уравнение нагрузочного режима. Рабочая точка.

39. Требования к усилителям.

40. Положительная и отрицательная связь в усилителях.

41. Виды обратной связи.

42. Назначение межкаскадной связи. Основные виды межкаскадной связи. Схемы подачи смещения. Требования к источникам питания.

43. Расчет и построение нагрузочной прямой для усилительного каскада.

44. Электронные ключи. Назначение. Принцип действия. Основные параметры. Режимы работы электронных ключей. Варианты схем транзисторных ключей.

45. Знакомство с основными сериями цифровых интегральных микросхем на биполярных и металл-окисел-полупроводниковых – транзисторах

46. Классификация и основные параметры интегральных логических элементов. Принцип работы схем комплиментарной (взаимодополняющей) металл-окисел-полупроводниковой логики.

47. Принцип работы схем транзисторно - транзисторной логики.

48. Виды источников сигнала и нагрузки. Входные и выходные показатели усилителя. Чувствительность. усилителя. Диапазон рабочих частот.

49. Коэффициент усиления тока, напряжения, мощности. Коэффициент полезного действия усилителя

50. Электрические сигналы в импульсных устройствах.

51. Дифференцирующие и интегрирующие цепи.

52. Принципы работы импульсных генераторов.

53. Методы формирования прямоугольных импульсов. Ждущие мультивибраторы.

54. Операционные усилители. Определение. Назначение. Основные параметры. Особенности входных и выходных каскадов операционного усилителя.

55. Особенности микроэлектроники. Классификация и уровень интеграции микросхем. Формирование элементов полупроводниковых интегральных микросхем.

56. Цифровые микросхемы. Переход к нанотехнологиям производства интегральных схем, тенденции развития.
- Предмет:
  Другие предметы
- Автор:
  bruno98
- 5 лет назад
- Ответов:
  
  1
- Смотреть
Подготовить сообщение на тему мечеть которая расположена в России
- Предмет:
  История
- Автор:
  gabriela
- 5 лет назад
- Ответов:
  
  1
- Смотреть
Помогите с 13 заданием. Нужна программа на паскале и блок схема. Пример по которому нужно сделать в прикрепленных фото.
- Предмет:
  Информатика
- Автор:
  mikey
- 5 лет назад
- Ответов:
  
  1
- Смотреть

How much to ban the user?

1 hour 1 day 100 years